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	Part Number	Description	Status	Channel	VDS(V)	VGS(V)	RDS(ON)@4.5V(?)	Qg@4.5V(nC)	ID Max.(A)	PD Max.(W)	VGS(th) Min.(V)	Pin/Package	EV Kit Available?
	UM2301P	具有集成二極管的20V P溝道功率MOSFET，采用SOT323封裝	ACTIVE	P	-20	8	0.2	0	-1.1	0.5	-0.4	3/SOT323
	UM2301S	具有集成二極管的20V P溝道功率MOSFET，采用SOT23-3封裝	ACTIVE	P	-20	8	0.2	0	-1.5	0.86	-0.4	3/SOT23
	UM8517PP	采用SOT323封裝的20V P溝道功率MOSFET	ACTIVE	P	-20	12	0.09	3.3	-1.4	0.3	-0.4	3/SOT323	Y
	UM2302P	具有集成二極管的20V N溝道功率MOSFET，采用SOT323封裝	ACTIVE	N	20	8	0.09	0	1.6	0.5	0.4	3/SOT323
	UM2302S	具有集成二極管的20V N溝道功率MOSFET，采用SOT23-3封裝	ACTIVE	N	20	8	0.09	0	2	0.86	0.4	3/SOT23
	UM2362P	采用SOT323封裝的60V N溝道小信號(hào)MOSFET	ACTIVE	N	60	20	1.7@5V	0	0.115	0.2	1	3/SOT323
	UM2362S	采用SOT23-3封裝的60V N溝道小信號(hào)MOSFET	ACTIVE	N	60	20	1.7@5V	0	0.115	0.2	1	3/SOT23
	UM8120DA	20V N溝道功率MOSFET,采用DFN3 1.0×0.6封裝	ACTIVE	N	20	8	0.16	0	0.6	0.23	0.5	3/DFN 1.0×0.6
	UM8515	采用SOT23-6封裝的20V P溝道功率MOSFET	ACTIVE	P	-20	8	0.09	2.2	-2	0.7	-0.4	6/SOT23
	UM8516	具有集成二極管的20V P溝道功率MOSFET，采用SOT23-6封裝	ACTIVE	P	-20	8	0.052	10.8	-4	0.7	-0.4	6/SOT23
	UM8517P6	采用SOT363封裝的20V P溝道功率MOSFET	ACTIVE	P	-20	12	0.11	3.3	-2.8	1	-0.4	3/SOT363	N